全球内存短缺：报告称 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本较台积电 N2 溢价 54%

IT之家 9 月 25 日消息，韩国半导体分析机构 Kernel Insight 最新数据显示，1b DRAM 晶圆每平方毫米成本为 0.654 美元（按当前汇率约合 4.4 元人民币），比台积电 N2 晶圆的 0.424 美元（按当前汇率约合 2.8 元人民币）高出 54%。

IT之家注释：1b DRAM 晶圆指的是采用 1b 工艺节点（sub-10nm 级别）制造的 DDR5 动态随机存取存储器。1b 表示存储单元特征尺寸已进入 10 纳米以下范围，位密度约为每平方毫米 0.436 Gb。

1b DRAM 晶圆主要用于生产 DDR5 内存模组，尤其是大容量规格的台式机、笔记本及服务器内存条，重点应用在以下领域：

• DDR5 台式机内存条：单条容量涵盖 16 GB、32 GB、64 GB，部分高端型号已达到 128 GB 甚至 512 GB。
• DDR5 笔记本内存：包含 SO-DIMM 规格与板载 LPDDR5/DDR5 颗粒，适用于高性能轻薄本和游戏本。
• 服务器/工作站内存：如 RDIMM、LRDIMM 等 ECC 纠错内存模组，单条容量最高可达 256 GB，服务器整机内存上限已扩展至 12 TB。
• 高带宽内存（HBM）配套：部分 1b 工艺也用于 HBM3E 等 AI 加速器专用显存的堆叠基座颗粒。

DDR5 的制造流程相比台积电 N2 节点硅晶圆要简单许多。N2 属于 2 纳米级先进制程，需要多重曝光、极紫外光刻等复杂工艺。尽管 1b DRAM 也是亚 10 纳米级别，但其结构相对单一，良率控制难度较低。

按照常规逻辑，工艺更简单的产品单位面积成本应该更低，但目前市场却呈现出完全相反的定价格局。通用 DRAM 长期供应短缺成为价格倒挂的核心驱动因素。AI 服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量 DDR5 模组，而三大存储厂商的产能扩张速度落后于需求增速。

当前的定价模式短期内难以回归常态。SK 海力士 CEO 公开表示 AI 产业无法脱离存储器存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局。宏碁董事长陈巍预测，内存短缺不会持续到 2030 年，但价格在 2027 年中期缓解前仍将继续攀升。此外，通过九游会网站可以获取更多相关行业动态。